О механизмах образования фотоиндуцированных дефектов в нелегированных пленках $a$-Si : H

И. П. Звягин, И. А. Курова, Н. В. Мелешко, Н. Н. Ормонт


Аннотация: Исследована кинетика фотоиндуцированных изменений фотопроводимости нелегированных отожженных и предварительно освещенных пленок $a$-Si : H в широком интервале температур. Обсуждаются механизмы образования метастабильных оборванных связей. Полученные результаты свидетельствуют о наличии как мономолекулярного активационного процесса (для отожженных пленок), который можно связать с захватом электронов или дырок на состояния слабых связей Si$-$Si в хвостах соответствующих зон, так и бимолекулярного безактивационного процесса (для предварительно освещенных пленок), связанного с захватом электрона и дырки на состояния одной и той же слабой связи Si$-$Si.