Фотохимическая перестройка глубоких центров в кремнии, легированном селеном

К. А. Адилов, Ш. С. Турсунов


Аннотация: Методами нестационарной емкостной спектроскопии (DLTS) и фотолюминесценции исследованы процессы фотохимической перестройки глубоких центров в $p$-Si : Se. Обнаружен распад донорно-акцепторной пары SeB$^{0}$, сопровождающийся ростом концентраций изолированных центров Se с энергиями ионизации $E_{c}-0.5$ и $E_{c}-0.25$ эВ. Обсужден возможный механизм перестройки.