RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 9, страницы 1589–1591 (Mi phts3995)

Примесные состояния таллия в Pb$_{1-x}$Ge$_{x}$Te

М. К. Житинская, А. А. Карпов, С. А. Немов


Аннотация: Исследованы явления переноса в твердых растворах Pb$_{1-x}$Ge$_{x}$Te ($0\leqslant x \leqslant 0.20$), легированных 2 ат% таллия, в диапазоне температур 77$-$450 K. Установлено, что с ростом содержания германия в твердом растворе уменьшается легирующее действие примеси таллия и постепенно исчезают различия в кинетических коэффициентах образцов с примесью Tl и без нее, при $x = 0.20$ практически совпадают также температуры фазового перехода.
Обнаруженные особенности экспериментальных данных находят объяснения в моделях квазилокальных примесных состояний таллия и связываются с влиянием состава твердого раствора Pb$_{1-x}$Ge$_{x}$Te на примесные состояния Tl. Сделаны оценки параметров полосы Tl в зависимости от состава твердого раствора.



© МИАН, 2026