Эмиссионные характеристики полупроводниковых гетероструктур с барьером Шоттки InGaAs$-$InP$-$Ag

А. Л. Мусатов, К. Р. Израэльянц, В. Л. Коротких, С. Л. Филиппов, Е. В. Руссу, И. И. Дякону


Аннотация: Приведены спектральные характеристики фотоэлектронной эмиссии, а также вольт-амперные и температурные характеристики темновой электронной эмиссии из изотипных гетероструктур $p$-типа с барьером Шоттки InGaAs$-$InP$-$Ag. Рассмотрены процесс снижения внешним напряжением потенциального барьера в зоне проводимости на гстерогранице таких структур, а также транспорт электронов через этот барьер при фотоэлектронной эмиссии из указанных структур. Показано, что темновая электронная эмиссия из гетероструктур InGaAs$-$InP$-$Ag определяется тепловой генерацией электронов в области пространственного заряда InGaAs вблизи гетерограницы.