Отрицательная дифференциальная проводимость монокристаллов InSe в диапазоне температур $4.2{-}30$ K

М. Ю. Гусев, А. И. Дмитриев, А. Н. Зюганов, З. Д. Ковалюк, В. И. Лазоренко, Г. В. Лашкарев, П. С. Смертенко


Аннотация: Исследование вольт-амперных характеристик монокристаллов слоистого полупроводника InSe в области температур 4.2$-$30 К свидетельствует о том, что объект представляет собой естественную сверхрешетку с периодом порядка 1500 Å, в которой при внешних электрических полях выше 1 В/см имеет место прыжковая проводимость по локализованным примесям.