Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP

Т. А. Лагвилава, М. Г. Мильвидский, Е. В. Соловьева


Аннотация: Изучено влияние легирования расплава Ga редкоземельной примесью Yb (0$-$0.1 ат %) на концентрацию доноров и акцепторов в GaP $n$- и $p$-типа проводимости. Показано, что концентрация доноров уменьшается только при больших содержаниях Yb в расплаве, а концентрация акцепторов уменьшается только в области малых уровней легирования. При больших концентрациях Yb происходит накачка акцепторного фона. Сделан вывод о том, что основной причиной увеличения подвижности электронов при легировании GaP иттербием является образование донорно-акцепторных пар.