RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 7, страницы 1320–1322 (Mi phts3940)

Краткие сообщения

Особенности поведения радиационных дефектов в структурах на основе Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs

П. Н. Брунков, В. С. Калиновский, С. Г. Конников, М. М. Соболев, О. В. Сулима




© МИАН, 2026