RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1990
, том 24,
выпуск 7,
страницы
1320–1322
(Mi phts3940)
Краткие сообщения
Особенности поведения радиационных дефектов в структурах на основе Al
$_{x}$
Ga
$_{1-x}$
As/GaAs
П. Н. Брунков
,
В. С. Калиновский
,
С. Г. Конников
, М. М. Соболев
,
О. В. Сулима
Полный текст:
PDF файл (448 kB)
©
МИАН
, 2026