Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки $p$-InGaAs$-$Ag

А. Л. Мусатов, С. Л. Филиппов, Е. В. Руссу, В. Г. Смирнов


Аннотация: Приведены спектральные и вольтамперные характеристики фотоэмиссии горячих электронов из диодов Шоттки $p$-InGaAs$-$Ag. Длинноволновая граница фотоэмиссии определяется шириной запрещенной зоны полупроводника и равна 1.65 мкм при $T=200$ K. Анализ зависимостей фотоэмиссионного тока от обратного напряжения на диоде позволил сделать вывод баллистическом механизме разогрева электронов в InGaAs в сильном электрическом поле в процессе эмиссии горячих электронов из этого полупроводника. Определена средняя длина свободного пробега горячих электронов $l_{\Gamma}$ в $\Gamma$-минимуме зоны проводимости InGaAs. Показано, что в области энергии электронов $\varepsilon=1.3\div 1.7$ эВ $l_{\Gamma} =90$ Å.