Аннотация:
Исследовано влияние интенсивности импульсного
облучения ($J$) быстрыми электронами с энергиями $4\div 7$ МэВ на скорость
образования $A$-центров в $n$-кремнии. При всех использованных
интенсивностях потока электронов образование $A$-центров
является доминирующим процессом вторичного дефектообразования.
При больших и малых значениях интенсивности
скорость образования $A$-центров не зависит от $J$,
в то время как в промежуточном диапазоне она уменьшается с ростом $J$.
С помощью кинетических уравнений для вакансий и
$A$-центров проведен анализ экспериментальных зависимостей.
Показано, что влияние интенсивности на скорость
образования $A$-центров может быть обусловлено взаимодействием
вакансий и $A$-центров с межузельным углеродом.