RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 7, страницы 1209–1212 (Mi phts3919)

Влияние условий электронного облучения на скорость образования $A$-центров в $n$-кремнии

В. В. Емцев, П. М. Клингер, Т. В. Машовец, К. М. Миразизян


Аннотация: Исследовано влияние интенсивности импульсного облучения ($J$) быстрыми электронами с энергиями $4\div 7$ МэВ на скорость образования $A$-центров в $n$-кремнии. При всех использованных интенсивностях потока электронов образование $A$-центров является доминирующим процессом вторичного дефектообразования. При больших и малых значениях интенсивности скорость образования $A$-центров не зависит от $J$, в то время как в промежуточном диапазоне она уменьшается с ростом $J$. С помощью кинетических уравнений для вакансий и $A$-центров проведен анализ экспериментальных зависимостей. Показано, что влияние интенсивности на скорость образования $A$-центров может быть обусловлено взаимодействием вакансий и $A$-центров с межузельным углеродом.



© МИАН, 2026