Подавление «природных» акцепторов в GaSb путем изовалентного легирования висмутом

В. П. Гермогенов, Я. И. Отман, В. В. Чалдышев, Ю. В. Шмарцев, Л. Е. Эпиктетова


Аннотация: Исследована фотолюминесценция при 4.2 K слоев GaSb : Bi, выращенных методом жидкофазной эпитаксии. Показано, что изовалентное легирование висмутом позволяет существенно снизить концентрацию «природных» акцепторов и свободных дырок в антимониде галлия. Это явление, по-видимому, обусловлено двумя механизмами, наблюдаемыми ранее при исследовании изовалентного легирования соединений A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ в жидкофазной эпитаксии: в области ${0.1<[\text{Вi}]_{\text{ж}}<0.7}$ ат. доли — в основном за счет присутствия висмута в твердой фазе, в области [Bi]${{}_{\text{ж}}\approx 0.8{-}0.9}$ ат. доли — в основном за счет изменения свойств жидкой фазы.