Природа спонтанной электролюминесценции гетероструктур II-типа GalnAsSb/GaSb

А. Н. Титков, В. Н. Чебан, А. Н. Баранов, А. А. Гусейнов, Ю. П. Яковлев


Аннотация: Обнаружена сложная структура низкотемпературных спектров электролюминесценции гетероструктур $n$-GaSb${-}n$-Ga$_{0.77}$In$_{0.23}$As$_{0.2}$Sb$_{0.8}{-}p$-GaSb с гетерограницей II-типа. В интервале энергий 0.45$-$0.62 эВ в спектре присутствуют четыре полосы излучения. Увеличение прикладываемого напряжения приводит к смещению полос излучения в сторону больших энергий (разному для каждой полосы) и перераспределению их интенсивностей. Анализ энергетического положения полос и их поляризационных характеристик показывает, что две низкоэнергетические полосы обусловливаются рекомбинацией электронов и дырок, разделенных гетерограницей II-типа. Рекомбинация происходит за счет туннелирования через гетерограницу легких дырок. Две высокоэнергетические полосы обусловливаются рекомбинацией электронов в узкозонном слое GalnAsSb с дырками соответственно на акцепторах и в валентной зоне. При рабочих для светодиодных структур напряжениях 1$-$2 В эти полосы доминируют в спектре.