Гетеропереход $n$-GaAs$-$ZnS в МДП приборах. II. Транзисторы с изолированным затвором

Э. А. Ильичев, С. П. Олейник, Л. И. Матына, И. В. Варламов, Т. Л. Липшиц, В. Н. Инкин


Аннотация: Проведено исследование МДП тразисторов на арсениде галлия с пленкой сульфида цинка в качестве подзатворного диэлектрика, работающих в режиме обеднения. Установлено, что при условии формирования ZnS разложением хелатных комплексов и удалении межфазных оксидов арсенида галлия транзисторы характеризуются высокой термостабильностью характеристик в диапазоне температур 77$-$500 K и приемлемой для ряда схемных применений частотной дисперсией основных параметров в интервале частот $10^{0}{-}10^{9}$ Гц, определяемой ловушками, расположенными в объеме изолирующей пленки.