Шоттковское экранирование заряженной дислокационной стенки в полупроводнике

А. В. Ефанов


Аннотация: Найдено распределение потенциала в слое Шоттки, окружающем стенку из заряженных краевых дислокаций в полупроводнике. Нелинейная задача экранирования сведена к нахождению формы границы слоя. Получены точные решения, описывающие форму границы и распределение потенциала. Рассчитаны зависимости высоты потенциального барьера для протекания тока сквозь границу и заряда дислокаций от периода стенки и концентрации примесей.