Фотолюминесценция квантовых слоев In$_{x}$Ga$_{1-x}$As, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия

В. Я. Алешкин, А. В. Аншон, Т. С. Бабушкина, Л. М. Батукова, Е. В. Демидов, Б. Н. Звонков, И. Г. Малкина


Аннотация: Экспериментально изучена фотолюминесценция (ФЛ) напряженных квантовых слоев In$_{x}$Ga$_{1-x}$As, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенид-галлиевой подложки. На спектре ФЛ хорошо различаются переходы между уровнями размерного квантования электронов и тяжелых дырок. Эти переходы также наблюдаются при изучении фотопроводимости вдоль слоя. Для слоев, выращенных на плоскости (111)A, наблюдалось смещение максимума ФЛ с ростом мощности возбуждения, что обусловлено экранировкой фотоносителями электрического поля, присутствующего в слое благодаря пьезоэффекту.