Измерение ВАХ InGaAs при помощи пикосекундной электрооптической стробирующей установки

В. Балинас, А. Т. Гореленок, А. Кроткус, А. Сталненис, Н. М. Шмидт


Аннотация: При помощи метода электрооптического стробирования измерены вольтамперные характеристики слоев InGaAs в диапазоне электрических полей, в 10 раз превышающих порог отрицательной дифференциальной проводимости. Большая разрешающая способность экспериментальной установки позволила измерить время формирования ганновских доменов, а также определить зависимость дрейфовой скорости электронов $v_{d}$ от напряженности электрического поля в условиях однородного распределения электрического поля в образце. Экспериментальные результаты сопоставлены с расчетами методом Монте-Карло.