Влияние ИК подсветки на проводимость фотоносителей в нелегированном аморфном полупроводнике

А. Г. Абдукадыров, Е. Л. Ивченко


Аннотация: Рассчитана заселенность локализованных состояний в нелегированном аморфном полупроводнике при низкой температуре в условиях стационарного освещения выше края основного поглощения и при дополнительной ИК подсветке, вызывающей фотовозбуждение из локализованных состояний. Найдена зависимость фотопроводимости от интенсивности ИК излучения.