Оптические свойства эпитаксиальных гетероструктур AlGaAsSb/GaSb в инфракрасной области спектра

М. А. Ильин, П. Ю. Карасев, М. Г. Мильвидский, Н. Г. Михайлова, А. Н. Пшеничная


Аннотация: Проанализированы возможности метода ИК спектроскопии для определения концентрации свободных электронов в слое $N_{\text{сл}}$ и подложке $N_{\text{подл}}$, а также основных характеристик эпитаксиальных слоев AlGaAsSb.