Гетеропереход $n$-GaAs$-$ZnS в МДП приборах. I. Электрофизические свойства гетероперехода

Э. А. Ильичев, С. П. Олейник, Л. И. Матына, И. В. Варламов, Т. Л. Липшиц, В. Н. Инкин


Аннотация: Исследованы электрофизические свойства гетероперехода $n$-GaAs$-$ZnS: установлен механизм транспорта электронов в стационарном режиме, определены энергетический спектр и параметры ловушек в изолирующей пленке сульфида цинка, изучены модуляционные свойства гетероконтакта. Установлено, что ток в структуре (прямое включение) в интервале температур $100\div500$ K и диапазоне полей $10^{3}\div10^{6}$ В/см ограничивается объемом пленки ZnS, носит активационный характер, а при напряженности поля в пленке ${\sim10^{5}}$ В/см процесс переноса отличается сменой омической полевой зависимости зависимостью Френкеля-Пула. Спектр ловушек в пленке ZnS характеризуется наличием локализованных состояний в интервалах энергий $0.23\div0.25$, $0.56\div0.58$, $0.80\div0.82$ эВ. Изменение емкости МДП структуры ограничено перезарядкой уровней $\sim0.23$ и $\sim0.80$ эВ и характеризуется значением эффективной плотности поверхностных состояний ${\sim(3\div5)\cdot10^{11}\text{эВ}^{-1}\cdot\text{см}^{-2}}$.