RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 4, страницы 687–691 (Mi phts3803)

Проводимость $n$-Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te в магнитных полях, превышающих поле перехода металл$-$диэлектрик

Б. А. Аронзон, Ю. Г. Арапов, М. Л. Зверева, М. С. Никитин, И. М. Цидильковский, Н. К. Чумаков


Аннотация: Измерены гальваномагнитные эффекты на образцах $n$-Hg$_{0.8}$Cd$_{0.2}$Te в интервале температур $1.36 \leqslant T \leqslant 25$ K и в магнитных полях до 6 T. Наблюдавшиеся особенности проводимости в сильных магнитных полях объясняются для одной группы образцов наличием в кристаллах $n$-Hg$_{0.8}$Cd$_{0.2}$Te взаимопроникающих кластеров $n$- и $p$-типа, а для другой — прыжковым характером проводимости носителей заряда, локализованных во флуктуационных ямах примесного потенциала. При исследовании МДП структур из образцов с взаимопроникающими кластерами установлено, что проводимость объемных образцов в сильных магнитных полях не связана с поверхностной проводимостью.



© МИАН, 2026