Аннотация:
Измерены гальваномагнитные эффекты на
образцах $n$-Hg$_{0.8}$Cd$_{0.2}$Te в интервале температур
$1.36 \leqslant T \leqslant 25$ K и в магнитных полях до 6 T.
Наблюдавшиеся особенности проводимости в сильных
магнитных полях объясняются для одной группы
образцов наличием в кристаллах $n$-Hg$_{0.8}$Cd$_{0.2}$Te
взаимопроникающих кластеров $n$- и $p$-типа, а для
другой — прыжковым характером проводимости носителей
заряда, локализованных во флуктуационных ямах примесного
потенциала. При исследовании МДП структур из образцов
с взаимопроникающими кластерами установлено, что
проводимость объемных образцов в сильных магнитных
полях не связана с поверхностной проводимостью.