RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 4, страницы 669–672 (Mi phts3799)

Влияние эффектов легирования на экситоны, связанные с нейтральными донорами, в $6H$-SiC

А. П. Крохмаль, В. П. Кошеленко


Аннотация: Измерением спектральных контуров $R_{01}$- и $S_{01}$-линий поглощения экситонов, связанных с нейтральными донорами (азотом), в $6H$-SiC при $T=4.5$ K установлено, что с ростом $N_{D}{-}N_{A}$ их длинноволновые крылья асимметрично деформируются с образованием характерного длинноволнового \glqqхвоста», причем в отличие от аналогичных линий $I_{2}$ в CdS максимумы линий смещаются в длинноволновую сторону. Эта особенность спектров поглощения объясняется эффектом Штарка, невозмущенным эффектом экранирования, на экситонах, связанных с нейтральными донорами, в поле заряженных примесей.



© МИАН, 2026