RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 4, страницы 610–630 (Mi phts3791)

Редкоземельные элементы в полупроводниках A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ (Обзор)

В. Ф. Мастеров, Л. Ф. Захаренков


Аннотация: Обзор посвящен рассмотрению поведения редкоземельных элементов (РЗЭ) с незаполненной \hbox{$4f$-обо}лочкой в полупроводниковых соединениях A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$.
Обсуждены особенности технологии и проблема \glqqочистки»полупроводников, легированных РЗЭ.
Приводятся данные по электронной структуре РЗЭ в полупроводниках (радиоспектроскопия и оптика); рассматриваются механизм возбуждения внутрицентровой люминесценции центров РЗЭ на электрические свойства полупроводников.
Особо обсуждается поведение европия в фосфидах галлия и индия.



© МИАН, 2026