Аннотация:
Обзор посвящен рассмотрению поведения редкоземельных элементов
(РЗЭ) с незаполненной \hbox{$4f$-обо}лочкой в полупроводниковых соединениях
A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$.
Обсуждены особенности технологии и проблема \glqqочистки»полупроводников, легированных РЗЭ.
Приводятся данные по электронной структуре РЗЭ в полупроводниках
(радиоспектроскопия и оптика); рассматриваются механизм возбуждения
внутрицентровой люминесценции центров РЗЭ на электрические свойства
полупроводников.
Особо обсуждается поведение европия в фосфидах галлия и индия.