Влияние технологии приготовления пленок $a$-Si : H на излучательную рекомбинацию

Ж. Атаев, В. А. Васильев, А. С. Волков, О. И. Коньков, Е. И. Теруков


Аннотация: Исследованы основные характеристики стационарной фотолюминесценции в пленках $a$-Si : H, приготовленных разложением силан-аргоновой смеси ($m$SiH$_{4}{-}(100-m)$Ar) в ВЧ тлеющем разряде, в зависимости от величины $m$ и средней мощности разряда $P$.
Установлены корреляция между квантовой эффективностью излучательной рекомбинации, положением максимума и полушириной спектра излучения, константой, характеризующей температурное гашение люминесценции, и содержанием водорода в пленках. На основании анализа полученных данных сделан вывод о том, что изготовленные при $m=40{-}60$ % и $P \leqslant 0.3$ Вт/см$^{2}$ пленки обладают наименьшей дефектностью и минимальной плотностью протяженности хвостов локализованных состояний в щели подвижности.