RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 3, страницы 418–422 (Mi phts3748)

Особенности термоэлектрических и электрических свойств слоистого полупроводника InSe при низких температурах

Г. В. Лашкарев, М. В. Радченко, В. И. Лазоренко, З. Д. Ковалюк


Аннотация: В области температур $6 < T < 300$ K исследованы удельное сопротивление, коэффициент Холла и термоэдс ($\alpha$) монокристаллов InSe $\gamma$-политипа, выращенных методом Бриджмена. При $T < 80$ K обнаружена инверсия знака $\alpha$ с отрицательного на положительный. Проанализированы причины, которые могут приводить к инверсии знака $\alpha$. Сделан вывод о том, что особенность а может быть связана со структурным фазовым превращением типа пайерлсовского перехода в состояние с волнами зарядовой плотности.



© МИАН, 2026