Физика и техника полупроводников,
1990, том 24, выпуск 3,страницы 418–422(Mi phts3748)
Особенности термоэлектрических и электрических свойств слоистого
полупроводника InSe при низких температурах
Г. В. Лашкарев, М. В. Радченко, В. И. Лазоренко, З. Д. Ковалюк
Аннотация:
В области температур $6 < T < 300$ K
исследованы удельное сопротивление, коэффициент Холла и термоэдс
($\alpha$) монокристаллов InSe $\gamma$-политипа, выращенных
методом Бриджмена. При $T < 80$ K обнаружена инверсия
знака $\alpha$ с отрицательного на положительный.
Проанализированы причины, которые могут приводить к
инверсии знака $\alpha$. Сделан вывод о том, что
особенность а может быть связана со структурным фазовым
превращением типа пайерлсовского перехода в состояние
с волнами зарядовой плотности.