Зависимость эффективной высоты потенциального барьера в М$-$ТД$-$П структурах при инфракрасной подсветке

А. М. Воскобойников, В. В. Смоляр, В. А. Скрышевский, В. И. Стриха


Аннотация: Для проверки возможности существования немонотонной координатной зависимости потенциала области пространственного заряда в структурах Ni$-$SiO$_{2}{-}$Si производились исследования высоты потенциального барьера при включении инфракрасной подсветки, осуществляющей монополярную генерацию неравновесных электронов. Обнаружен эффект возрастания высоты потенциального барьера в структурах с толщиной диэлектрического слоя меньше 20 Å, что свидетельствует в пользу физической модели контакта металл$-$полупроводник, учитывающей немонотонный профиль потенциала, обусловленный провисанием заряда, локализованного на поверхностных состояниях, в глубь полупроводника. Рассмотрены конкурирующие механизмы изменения высоты потенциального барьера под воздействием инфракрасной подсветка.