Влияние анизотропного травления на глубокие уровни в приповерхностной области арсенида галлия

В. Ю. Быковский, В. И. Вовненко, Н. Л. Дмитрук, С. В. Свечников


Аннотация: Проанализированы особенности спектров НЕСГУ диодов Шоттки, изготовленных путем напыления Al на микрорельефную поверхность GaAs. Показано, что особенности спектров НЕСГУ обусловлены изменением стехиометрического состава поверхности и приповерхностной области GaAs после анизотропного травления поверхности; влиянием сильного электрического поля, возникающего в области пространственного заряда под неплоской поверхностью GaAs.
Использование макрогетерогенной модели для аппроксимации спектров на ЭВМ позволяло определить распределения электрического поля и концентрации центров $EL2$ под неплоской поверхностью GaAs.