Особенности процессов релаксации поверхностного потенциала и термостимулированных явлений в биполярных стеклообразных полупроводниках системы Ge$-$Pb$-$S

Г. А. Бордовский, М. Р. Каничев, В. М. Любин


Аннотация: Показано существенное различие процессов релаксации поверхностного потенциала и термостимулированных явлений в двух группах халькогенидных стеклообразных полупроводников: монополярных мышьяксодержащих и биполярных безмышьяковых. Первые характеризуются большими поверхностными потенциалами и медленной их релаксацией, а также наличием высокотемпературных максимумов термостимулированных токов, вторые — малыми потенциалами и быстрой их релаксацией, отсутствием высокотемпературных максимумов в термостимулированных характеристиках. Сделано заключение о различии спектров локальных состояний в запрещенной зоне исследованных полупроводников.