Инверсные распределения электронов в полупроводниковых гетероструктурах с одной квантовой ямой

В. Я. Алешкин, Ю. А. Романов


Аннотация: Исследованы условия возникновения инверсных распределений электронов между подзонами квантовой ямы в двухбарьерной структуре с учетом реальных механизмов рассеяния. Инверсия в таких системах возникает, если вероятность ухода электронов из нижней подзоны в контакт (коллектор) превышает вероятность их прихода из верхней подзоны. Найдены условия, при которых инверсия населенностей приводит к генерации электромагнитных колебаний.