RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 1, страницы 126–130 (Mi phts3686)

Исследование коэффициента поглощения в PbTe, имплантированном цинком

А. Н. Вейс, З. М. Дашевский, М. П. Руленко


Аннотация: Исследованы спектральные зависимости коэффициента поглощения и коэффициент термоэдс в PbTe, имплантированном цинком с дозами $(30\div 2)\cdot 10^{4}$ мкКл/см$^{2}$ при $T=300$ K. Показано, что имплантация PbTe примесью цинка сопровождается образованием твердых растворов Pb$_{1-x}$Zn$_{x}$Te. Выявлены энергетические уровни, связанные с комплексами, расположенные в верхней половине запрещенной зоны. Выполнен анализ полученных данных совместно с результатами, описанными в литературе, и показано, что в материалах с электронным типом проводимости комплексы включают в свой состав вакансии как свинца, так и халькогена.



© МИАН, 2026