Влияние пластической деформации на гальваномагнитные и фотоэлектрические свойства $n$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te

П. И. Баранский, А. Е. Беляев, О. П. Городничий, С. М. Комиренко


Аннотация: Представлены результаты исследований температурных и магнитополевых зависимостей гальваномагнитных и фотоэлектрических параметров пластически деформированных посредством индентирования кристаллов $n$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te ($x=0.2$). Показано, что пластическая деформация приводит к образованию подвижных при ${T\approx 300}$ K дислокаций, проявляющих геттерирующее действие по отношению к имеющимся в образце неконтролируемым примесям. Установлено также, что наблюдаемый в деформированных кристаллах рекомбинационный уровень c $E_{t} \sim E_{v}+50$ мэВ имеет дислокационную природу.