Физика и техника полупроводников,
1990, том 24, выпуск 1,страницы 72–76(Mi phts3677)
Изменение концентрации атомов бора и фосфора в узлах решетки кремния
при облучении электронами
В. Д. Ахметов, В. В. Болотов, Г. Н. Камаев, Л. С. Смирнов
Аннотация:
Проведены ИК спектрометрические исследования
изменения концентрации узлового бора (B$_{8}$) и фосфора (P$_{8}$) в узлах
решетки кремния при облучении электронами с энергией 3.5 МэВ
в температурном интервале 20$\div $700$^{\circ}$С. Показано, что во
всем диапазоне температур концентрация легирующих
примесей в узлах с дозой облучения уменьшается. Анализ
результатов для температур облучения ниже и выше
температуры отжига вакансионных комплексов с легирующими
примесями позволяет сделать вывод об эффективном
взаимодействии атомов B$_{8}$ и P$_{8}$ с междоузельными атомами
кремния во всем исследованном температурном интервале.
Отсутствие изменений концентрации B$_{8}$ и P$_{8}$ при
$T \geqslant 700^{\circ}$С
свидетельствует о достижении стационарной концентрации
примесей в узлах и междоузлиях для данных условий
облучения.