RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 1, страницы 72–76 (Mi phts3677)

Изменение концентрации атомов бора и фосфора в узлах решетки кремния при облучении электронами

В. Д. Ахметов, В. В. Болотов, Г. Н. Камаев, Л. С. Смирнов


Аннотация: Проведены ИК спектрометрические исследования изменения концентрации узлового бора (B$_{8}$) и фосфора (P$_{8}$) в узлах решетки кремния при облучении электронами с энергией 3.5 МэВ в температурном интервале 20$\div $700$^{\circ}$С. Показано, что во всем диапазоне температур концентрация легирующих примесей в узлах с дозой облучения уменьшается. Анализ результатов для температур облучения ниже и выше температуры отжига вакансионных комплексов с легирующими примесями позволяет сделать вывод об эффективном взаимодействии атомов B$_{8}$ и P$_{8}$ с междоузельными атомами кремния во всем исследованном температурном интервале. Отсутствие изменений концентрации B$_{8}$ и P$_{8}$ при $T \geqslant 700^{\circ}$С свидетельствует о достижении стационарной концентрации примесей в узлах и междоузлиях для данных условий облучения.



© МИАН, 2026