RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 1, страницы 25–28 (Mi phts3670)

Нелинейность краевого поглощения CdSe

Н. Р. Кулиш, М. П. Лисица, Н. И. Малыш, Б. М. Булах


Аннотация: Исследовано влияние интенсивности лазерного излучения на коэффициент поглощения селенистого кадмия в области края. Показано, что в низкочастотном участке спектра, определяющемся крупномасштабными нарушениями решетки, он постоянен. На урбаховском участке, формирующемся точечными дефектами, поглощение резко падает с ростом интенсивности. В области зона-зонных переходов зависимость коэффициента поглощения от интенсивности объясняется проявлением динамического эффекта Бурштейна$-$Мосса.



© МИАН, 2026