Физика и техника полупроводников,
1990, том 24, выпуск 1,страницы 25–28(Mi phts3670)
Нелинейность краевого поглощения CdSe
Н. Р. Кулиш, М. П. Лисица, Н. И. Малыш, Б. М. Булах
Аннотация:
Исследовано влияние интенсивности лазерного излучения
на коэффициент поглощения селенистого кадмия в области
края. Показано, что в низкочастотном участке спектра,
определяющемся крупномасштабными нарушениями решетки,
он постоянен. На урбаховском участке, формирующемся
точечными дефектами, поглощение резко падает с ростом
интенсивности. В области зона-зонных переходов зависимость
коэффициента поглощения от интенсивности объясняется
проявлением динамического эффекта Бурштейна$-$Мосса.