Влияние термообработки на люминесцентные и электрофизические параметры приповерхностных слоев монокристаллических пластин арсенида галлия

А. С. Брук, А. В. Говорков, М. Г. Мильвидский, Е. В. Попова, А. А. Шленский


Аннотация: Методами МКЛ, ФЛ, $C{-}V$ и СГУ изучены свойства приповерхностных слоев монокристаллических пластин GaAs, легированных Sn, Те, Zn, после термообработки в протоке H$_{2}$ и при контролируемом давлении паров мышьяка. Установлено, что увеличение концентрации $V_{\text{As}}$ вблизи поверхности в образцах $n$-типа приводит к образованию новых центров излучательной рекомбинации и появлению дополнительных акцепторных центров. Обнаружены существенные изменения люминесцентных характеристик и спектра глубоких уровней, обусловленные перераспределением $V_{\text{Ga}}$. Обсуждается механизм обнаруженных явлений.