RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 12, страницы 2214–2217 (Mi phts3656)

Высокотемпературная пластическая деформация и электрофизические свойства эпитаксиальных структур арсенида галлия

О. К. Городниченко, В. Ф. Коваленко


Аннотация: Проведены исследования взаимосвязи пластической деформации с электрофизическими свойствами эпитаксиальных структур арсенида галлия. Показано, что пластическая деформация в эпитаксиальных структурах развивается крайне неоднородно.
Перераспределение интенсивностей полос излучения в спектрах фотолюминесценции структур связывается с ротационной пластичностью, а упрочнение структур — с повышенным содержанием комплексов Te$_{\text{As}}\text{V}_{\text{Ga}}$ на границе раздела слой–подложка.



© МИАН, 2026