Аннотация:
Проведены исследования взаимосвязи пластической деформации
с электрофизическими свойствами эпитаксиальных структур арсенида галлия.
Показано, что пластическая деформация в эпитаксиальных структурах
развивается крайне неоднородно. Перераспределение интенсивностей полос излучения в спектрах
фотолюминесценции структур связывается с ротационной
пластичностью, а упрочнение структур — с повышенным содержанием
комплексов Te$_{\text{As}}\text{V}_{\text{Ga}}$ на границе раздела
слой–подложка.