Одноосно деформированный $p$-HgMnTe с ${\varepsilon_{g}>0}$: гальваномагнитные эффекты, энергетический спектр

А. В. Германенко, Г. М. Миньков, Е. Л. Румянцев, О. Э. Рут


Аннотация: Проведены исследования влияния одноосной деформации на гальваномагнитные явления в разбавленных магнитных полупроводниках $p$-HgMnTe с ${\varepsilon_{g}>0}$ в магнитных полях до 55 кЭ (без деформации до 200 кЭ) при ${T=1.7{-}77}$ K. Показано, что в отсутствие магнитного поля одноосная деформация в HgMnTe, так же как в InSb и HgCdTe, приводит к уменьшению энергии ионизации акцепторов. В магнитном поле зависимости коэффициента Холла и удельного сопротивления в HgMnTe радикально отличаются от зависимостей, наблюдаемых в немагнитных полупроводниках. Это связано с влиянием на энергетический спектр свободных дырок обменного взаимодействия с ионами Мn$^{2+}$, имеющими нескомпенсированный магнитный момент. Основные особенности гальваномагнитных эффектов объясняются при описании энергетического спектра HgMnTe в $k\hatp$-модели с учетом обменного взаимодействия в приближении эффективного молекулярного поля и одноосной деформации.