О природе радиационных дефектов в $n$-кремнии, облученном электронами с энергией вблизи порога дефектообразования

Л. С. Берман, В. А. Жепко, В. Н. Ломасов, В. Н. Ткаченко


Аннотация: Исследованы радиационные дефекты (РД), образующиеся в $n$-базе кремниевых диодов, облученных электронами с энергией 270 и 300 кэВ. Методом DLTS обнаружены следующие комплексы: вакансия–кислород ($A$-центр), кислород–углерод–вакансия ($K$-центр) и межузельный–узельный углерод. Эти РД и РД, образующиеся при облучении кремния электронами с энергией порядка 1 мэВ, идентичны.