Влияние электронного облучения на диффузию примесей в монокристаллических полупроводниках

Ю. Н. Казаринов, В. В. Козловский, В. Н. Ломасов, М. В. Питкевич


Аннотация: Методами меченых атомов, вторично-ионной масс-спектрометрии и путем электрических измерений параметров образцов проведены исследования радиационно-стимулированной диффузии бора и золота в кремнии и серебра в селениде свинца. Показано, что ускорение диффузии под действием электронного облучения вызывается исключительно генерацией избыточных вакансий, а не ионизационными процессами в облученном полупроводнике. Установлено, что наблюдавшееся в ряде работ перемещение $p{-}n$-перехода в кремнии, легированном бором, связано не с диффузией бора при электронном облучении, а с образованием электроактивных дефектов.