RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 12, страницы 2113–2117 (Mi phts3639)

Влияние микрорельефа поверхности на электрофизические характеристики контакта металл$-$полупроводник с барьером Шоттки. Фотоэмиссионные характеристики

О. Ю. Борковская, Т. Я. Горбач, Н. Л. Дмитрук, О. Н. Мищук


Аннотация: Исследовано влияние микрорельефной анизотропно травленой поверхности на спектры фотоэмиссионного тока диодов Шоттки Au$-$GaAs. Обнаружено повышение фоточувствительности барьеров Шоттки и увеличение примерно вдвое температурного коэффициента высоты барьера.



© МИАН, 2026