Зависимость от состава параметров глубокого центра в эпитаксиальных слоях Pb$_{1-x}$Sn$_{x}\text{Te}\langle\text{In}\rangle$

И. И. Засавицкий, Б. Н. Мацонашвили, В. Т. Трофимов


Аннотация: Изучались спектры положительного и отрицательного сигналов фотопроводимости (ФП) эпитаксиальных слоев Pb$_{1-x}\text{Sn}_{x}\text{Te}\langle\text{In}\rangle/\text{BaF}_{2}$ в диапазоне составов ${0\leqslant x\leqslant0.25}$. На основании этих спектров определена зависимость положения глубокого уровня центра от состава по отношению к краям зон. В рамках модели ян-теллеровского центра (ЯТЦ) рассчитаны параметр перестройки, характеризующий упругость решетки, и положение возбужденного одноэлектронного состояния.
Обнаружено уменьшение пороговой энергии возбуждения отрицательного сигнала ФП при уменьшении толщины эпитаксиального слоя (при ${x\simeq 0.23}$ и ${d\simeq50}$ нм ${\Delta h\nu_{\text{п}}\simeq35}$ мэВ). Это объясняется наличием напряжений в тонких слоях.