RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 11, страницы 2013–2018 (Mi phts3614)

Механизм генерации заряда в МДП структуре

С. В. Безлюдный, В. Г. Карпов, Н. В. Колесников, А. Н. Якименко


Аннотация: Рассмотрен механизм туннельно-активационной генерации заряда в МДП структуре — активация электронов из валентной зоны на уровни поверхностных состояний и последующее туннелирование. Генерационный ток определяется редкими областями, в которых флуктуации встроенного заряда создают сильные электрические поля, уменьшающие туннельный барьер. Теория предсказывает температурную зависимость энергии активации, флуктуации генерационных токов от образца к образцу, возможность подавления генерации ионизирующим облучением. Результаты измерений времен генерации и их зависимостей от дозы облучения находятся в качественном согласии с теорией.



© МИАН, 2026