Аннотация:
Рассмотрен механизм туннельно-активационной генерации
заряда в МДП структуре — активация электронов
из валентной зоны на уровни поверхностных состояний
и последующее туннелирование. Генерационный ток определяется редкими
областями, в которых флуктуации встроенного заряда создают сильные
электрические поля, уменьшающие туннельный барьер.
Теория предсказывает температурную зависимость энергии активации,
флуктуации генерационных токов от образца к образцу, возможность подавления
генерации ионизирующим облучением. Результаты измерений времен генерации
и их зависимостей от дозы облучения находятся
в качественном согласии с теорией.