Влияние упругого сжатия в направлении [100] на параметры ТЭН в кремнии, легированном марганцем

М. К. Бахадырханов, А. А. Турсунов, Ш. И. Аскаров, Н. Ф. Зикриллаев, А. Абдураимов, Х. М. Илиев


Аннотация: Изучено влияние одноосного сжатия вдоль направлений [111], [110] и [100] на параметры температурно-электрической неустойчивости в Si$\langle$Mn$\rangle$. Характер, условия возбуждения и изменение параметров зависят от направления сжатия. При сжатии вдоль [111] и [110] с ростом давления $P$ пороговое поле и амплитуда колебаний увеличиваются, а частота убывает. При некотором $P_{\text{к}}$ колебания в цепи срывались. При сжатии в направлении [100] пороговое поле сначало убывало, достигало минимума, затем нарастало. При некотором поле, меньшем порогового, наблюдался интервал $P$, где возникали колебания тока, т. е. ТЭН, стимулированная сжатием.
Наблюдаемые особенности объясняются различным изменением заселенности глубокого уровня, связанного с атомом марганца, при сжатии в различных направлениях.