Влияние тонкого диэлектрического слоя на свойства ПЭВ на границе металл$-$полупроводник

Л. В. Беляков, Д. Н. Горячев, Т. Л. Макарова, Б. Л. Румянцев, О. М. Сресели, И. Д. Ярошецкий


Аннотация: Теоретически и экспериментально исследовано влияние толщины диэлектрического слоя на возбуждение поверхностных электромагнитных волн (ПЭВ) в структуре металл–полупроводник. Обнаружена критическая зависимость свойств резонансного фотоответа структуры, связанного с возбуждением медленной моды ПЭВ, от толщины оксида, проявляющаяся в смещении углового положения резонансного пика фотоответа, уменьшений полуширины пика и его полном исчезновении при толщине оксида ${\gtrsim150}$ Å. Показано, что в некотором интервале толщин поверхностные $TM$-моды отсутствуют (для рассмотренного случая Ag (An)$-$собственный оксид$-$GaP — в интервале от 15 до 500 нм).
Полученные результаты могут найти применение при разработке резонансных фотоприемников на основе структур Шоттки и МОП структур.