Емкостная модуляционная спектроскопия глубоких уровней в полупроводниках

Б. А. Бобылев, В. Н. Овсюк, С. Б. Севастьянов, В. И. Усик


Аннотация: Развита теория метода емкостной модуляционной спектроскопии глубоких уровней (МСГУ) в поверхностно-барьерных структурах с неоднородным распределением примесей и предложена его экспериментальная реализация. Достоинством метода является возможность наряду с параметрами глубоких уровней (энергетические положения, сечения захвата для основных носителей заряда, распределенная концентрацией по координате в приповерхностном слое) определять и профиль концентрации мелкой (легирующей) примеси.