Влияние зарядовых состояний вакансий на накопление дивакансий в кремнии при электронном облучении

Н. В. Колесников, В. Н. Ломасов, С. Е. Мальханов


Аннотация: Выполнено сравнительное исследование процессов накопления дивакансий в $n$- и $p$-кремнии с различными уровнями легирования в широком диапазоне интенсивностей облучения электронами с энергией 900 кэВ. Установлено, что в $n$- и $p$-кремнии с концентрациями носителей заряда ${5\cdot10^{15}}$ и ${1\cdot10^{15}\,\text{см}^{-3}}$ соответственно скорость введения дивакансий квадратично растет с интенсивностью облучения, а в $n$-кремнии с концентрацией ${6\cdot10^{14}\,\text{см}^{-3}}$ растет линейно. Полученные результаты объяснены с учетом изменений зарядовых состояний вакансий при облучении.