Напряжение лавинного пробоя $p{-}n$-переходов на основе Si, Ge, SiC, GaAs, GaP и InP при комнатной температуре

А. С. Кюрегян, С. Н. Юрков


Аннотация: На основе тщательного анализа всех опубликованных данных по измерениям коэффициентов ударной ионизации электронами $\alpha_{n}$ и дырками $\alpha_{p}$ в полупроводниках получены наиболее правдоподобные аналитические зависимости $\alpha_{n,p}$ от напряженности электрического поля $E$. Эти зависимости использованы для численных расчетов напряжения лавинного пробоя $U_{b}$ резко асимметричных, линейных и диффузионных $p{-}n$-переходов в Si, Ge, SiC, GaAs, GaP и InP в широком диапазоне значений параметров. Результаты расчетов представлены в виде графиков и простых интерполяционных формул, пригодных для выполнения инженерных расчетов. Отмечена аномально высокая электрическая прочность фосфида индия и карбида кремния.