Оптические свойства монокристаллов AgGaTe$_{2}$

H. H. Константинова, Ю. В. Рудь


Аннотация: В диапазоне температур ${80\div350}$ K измерены спектры оптического пропускания однородных специально не легированных монокристаллов AgGaTe$_{2}$, выращенных направленной кристаллизацией расплава с составом, близким к стехиометрическому составу соединения. При 300 K концентрация дырок составляет ${(1\div5)\cdot10^{13}\,\text{см}^{-3}}$, а их подвижность — ${5\div8\,\text{см}^{2}/\text{В}\cdot\text{с}}$. Анализ спектров краевого поглощения в естественном излучении показывает, что AgGaTe$_{2}$ является прямозонным полупроводником с шириной запрещенной зоны ${E_{g}=1.32}$ эВ (300 K), в интервале ${80\div350}$ K $E_{g}$ падает по линейному закону с температурным коэффициентом ${dE_{g}/dT\simeq-3.6\cdot10^{-4}\,\text{эВ/K}}$. Обнаружена фоточувствительность AgGaTe$_{2}$ в диапазоне ${0.6\div3}$ эВ. Анализ спектров фоточувствительности подтверждает выводы абсорбционных измерений. На полученных кристаллах также созданы фоточувствительные структуры: диоды Шоттки и электрохимические ячейки. Исследования полного и фотоактивного поглощения в линейно поляризованном свете позволили обнаружить линейный дихроизм и фотоплеохроизм, которые отвечают симметрии решетки халькопирита. Полученные результаты указывают на возможности применения монокристаллов AgGaTe$_{2}$ в поляризационной фотоэлектронике.