RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 10, страницы 1728–1736 (Mi phts3556)

Анизотропия валентной зоны и стимулированное излучение горячих дырок $p$-Ge в скрещенных электрическом и магнитном полях

А. В. Муравьев, И. М. Нефедов, Ю. Н. Ноздрин, В. Н. Шастин


Аннотация: Представлены результаты эксперимента и численного моделирования по влиянию анизотропии зонной структуры на стимулированное излучение на межподзонных переходах дырок Ge в скрещенных электрическом и магнитном нолях. Измерены значения угла Холла в исследуемых образцах Ge в режиме генерации стимулированного излучения. Обсуждается оптимальная ориентация прикладываемых полей относительно кристаллографических направлений.



© МИАН, 2026