Неустойчивость тока в кремнии, компенсированном марганцем, связанная с рекомбинационными волнами

М. К. Бахадырханов, И. П. Парманкулов


Аннотация: Изучены особенности неустойчивостей тока, обнаруженных в кристаллах кремния, компенсированного марганцем, с ${\rho=10^{3}\div10^{5}\,\text{Ом}\cdot\text{см}}$. Колебания тока возбуждались в темноте в интервале температур ${250\div350}$ K, когда электрическое поле, прикладываемое к образцу, превышало некоторое пороговое значение $E_{\text{п}}$. С ростом температуры величина $E$ снижается в пределах ${210\div25}$ В/см, а частота на пороге возрастает в интервале ${10^{2}\div 1.8\cdot10^{4}}$ Гц.
Установлено, что параметры колебаний тока сильно зависят от условии их возбуждения. С повышением температуры и электрического поля амплитуда возрастает в пределах ${10^{-7}\div5\cdot10^{-4}}$ Å, частота колебаний с ростом температуры экспоненциально возрастает, а с ростом поля несколько снижается, и при относительно высоких полях возбуждение дополнительных гармоник приводит к повышению частоты колебаний тока.
На основе сопоставительного анализа характера изменения параметров колебаний тока от условий их возбуждения и аналогичных параметров колебаний тока, обнаруженных в других материалах, и в соответствии с расчетом параметров образцов Si$\langle\text{Мn}\rangle$ сделано предположение, что наблюдаемые колебания тока связаны с возбуждением в кристаллах медленных рекомбинационных волн.