RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 8, страницы 1496–1499 (Mi phts3498)

О влиянии РЗЭ на свойства объемных монокристаллов InP

Б. Х. Байрамов, Л. Ф. Захаренков, Г. В. Ильменков, В. Ф. Мастеров, В. В. Топоров


Аннотация: В настоящей работе приводятся результаты исследования комбинационного рассеяния света связанными продольными плазмон-фононными колебаниями. Получена информация о концентрации и подвижности свободных носителей заряда в монокристаллах InP, легированных РЗЭ. Результаты позволяют сделать вывод о том, что «очистка» материала происходит в процессе роста кристалла, а введение РЗЭ необходимо проводить в процессе синтеза поликристаллического материала.



© МИАН, 2026