Аннотация:
В настоящей работе приводятся результаты исследования
комбинационного рассеяния света связанными продольными
плазмон-фононными колебаниями. Получена информация о концентрации
и подвижности свободных носителей заряда в монокристаллах InP,
легированных РЗЭ. Результаты позволяют сделать вывод о том, что
«очистка» материала происходит в процессе роста
кристалла, а введение РЗЭ необходимо проводить в процессе
синтеза поликристаллического материала.