Получение МОС гидридным методом при пониженном давлении и фотолюминесцентные исследования GaAs/AlGaAs квантово-размерных структур

И. А. Кузьмин, А. Г. Машевский, Д. Р. Строганов, О. М. Федорова, Б. С. Явич


Аннотация: Получены квантово-размерные структуры (КРС), состоящие, из слоев GaAs толщиной от 10 до 300 Å, разделенных барьерными слоями Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$As. Структуры выращивались методом газовой эпитаксии в системе Ga(CH$_{3})_{3}{-}\text{Al(CH}_{3})_{3}{-}\text{AsH}_{3}{-}\text{Н}_{2}$ в реакторе горизонтального типа при давлении 76 Тор (метод LP MOСVD). На основании исследований энергетического положения и формы экситонных полос фотолюминесценции (77 и 2 K) установлено: а)  профиль изменения концентрации алюминия в структурах близок к прямоугольному; б)  флуктуации ширины квантово-размерных слоев не превышают двух монослоев; в)  указанные флуктуации обусловлены монослойными островковыми неоднородностями на гетерограницах, продольные размеры которых меняются в широких пределах.
Полученные результаты свидетельствуют о высоком совершенстве КРС, полученных данным методом.