RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1989, том 23, выпуск 6, страницы 1076–1079 (Mi phts3407)

Особенности отжига дивакансии в кремнии, содержащем разупорядоченные области

И. В. Антонова, А. В. Васильев, В. И. Панов, С. С. Шаймеев


Аннотация: Проведено детальное исследование характера отжига дивакансий в кремнии $n$-типа, облученном нейтронами. Подробный анализ данных DLTS экспериментов доказал, что отжит происходит в две стадии. Высокотемпературная стадия (${300\div350^{\circ}}$С, анергия активации ${E_{\text{a}}=1.5}$ эВ) связана с отжигом дивакансий в матрице кристалла. Низкотемпературная стадия (${100\div200^{\circ}}$С, ${E_{\text{a}}=1.0}$ эВ) обусловлена подходом дефектов междоузельного типа к дивакансиям, локализованным в ядре РО.



© МИАН, 2026